产线受控运行:IATF 16949 / ISO 9001 车规级质保
12英寸晶圆微间距金线键合机台与三温自动化终测系统全面就绪

微米级精准工艺驱动的
高可靠J9旗舰全栈工程基座

专注为芯片设计企业(Fabless)、IDM原厂与系统方案商提供覆盖晶圆减薄划片、金线/铜线微间距键合、倒装焊(Flip-Chip)、系统级SiP先进封装,以及覆盖-40℃至150℃全温区的CP/FT芯片电性能测试解决方案,筑牢半导体硬件交付的良率底座。

键合对准精度

±1.5μm 微间距微线弧成形

向量测试深度

>99.6% 覆盖边界扫描与模拟参数

三温极限测试

-55℃ ~ +150℃ 宽温域稳定甄别

先进封装组装

SiP / 2.5D多芯片异构集成能力

J9旗舰无尘生产车间与高精量产测试平台
环境洁净度:Class 100 / Class 1000 MIL-STD-883 认证受控
Technical Overview

严格遵循工业与车规级半导体标准的J9旗舰工程架构

半导体J9旗舰不仅是晶圆制造后的最后物理保护屏障,更是确保电气信号完整性、热耗散能力及生命周期零缺陷的关键工序。本产线深度集成晶圆探针测试(CP)与成品封装终测(FT),打通从裸片(Die)研磨切割、精密贴装到微组装保护的完整闭环。

针对复杂数模混合芯片的高速通道仿真与测试向量深度开发,保障高频瞬态响应。

基于AEC-Q100 Grade 0/1标准的老化筛选(Burn-in),剔除早期失效隐患,确保出厂零不良率。

支持超薄晶圆减薄至50μm并配套双面DBI或高强度环氧注塑模顶工艺,满足严苛应力测试。

Core Advantages

全栈式J9旗舰六大工程核心优势

依托高精度进口封测设备集群与成熟的微电子封装工艺,全面赋能集成电路量产与工程试样验证。

SiP 系统级先进封装

支持逻辑内核、高速存储与射频无源元件的高密度三维堆叠,实现微型化尺寸与出色电磁兼容性能。

高密度 BGA / QFN 封测

支持引脚间距细化至0.35mm球栅阵列植球与无引脚扁平封装,热阻与电感指标业内领先。

微波高频 RF 专用测试

配置高达40GHz频段的网络分析仪与专用同轴探针卡,精准捕获S参数、噪声系数与谐波失真。

车规级极端应力筛选

全面贯彻温度循环(TC)、高加速应力(HAST)与静电放电(ESD)测试,锁定最高可靠等级。

敏捷工程试样打样

开辟快件专属流片封测工程通道,首轮工程样品封测交付周期大幅压缩至最快72小时内完成。

全自动 ATE 集群并测

配置多通道高端SOC与存储器ATE机台,支持16/32工位并行终测,大幅摊薄单颗芯片测试成本。

Package Matrix

主流与先进J9旗舰量产产品系列

适配不同功耗、引脚间距及散热等级要求的完整封装产线输出矩阵。

J9旗舰高密度倒装焊与FC-BGA封装芯片
先进倒装焊

FC-BGA / Chiplet 先进封装

针对超大规模逻辑电路与AI算力处理器,采用微凸点(Micro-bump)互连技术,实现极高I/O密度与卓越的电源完整性。

最小引脚间距 (Pitch): 0.35 mm
结壳热阻 (Rthjc): < 0.25 °C/W
晶圆级凸点工艺: Cu Pillar / SnAg
J9旗舰碳化硅IGBT功率模块封装
高导热功率

TO / DFN / 功率模块封测

面向SiC/GaN宽禁带半导体与硅基MOSFET,采用铜夹带(Clip Bonding)与纳米银烧结工艺,兼顾高耐压与超快开关损耗。

耐压等级范围: 650V - 1700V
工作结温耐受 (Tj): 最高 175 °C
绝缘耐压强度: > 3.5 kV AC
J9旗舰QFN精密传感器微电子封装
微型化传感

QFN / LGA / 传感器封测

适配MEMS加速度计、陀螺仪、环境传感器及高频射频前端,提供注塑开孔透气封装与高真空气密保护技术。

封装外形厚度: 0.45 mm ~ 0.85 mm
湿敏防护等级: MSL 1 / MSL 3
引线键合材质: Au / Cu / Pd-Cu 丝
Testing Methodology

严密受控的集成电路测试工程链

从晶圆探针CP测试到成品终测FT,通过全自动化机台与定制化探针卡消除微观隐患。

01

晶圆级CP测试

支持8/12英寸晶圆自动上下料探针测试,完成电参数筛查并输出标准Wafer Map图谱。

02

三温自动化终测 (FT)

集成高精度温控分选机,在低温、常温与高温工况下分别验证动态功耗与极限时钟频偏。

03

动态高温老化 (Burn-In)

施加超额定偏置电压与热环境,激化微裂纹及氧化层缺陷,剔除早夭芯片。

04

外观检查与载带编带

配置6面高倍率光学AOI检测共面性与外观印字,完成防静电卷盘封装出货。

Applications & Field Cases

深入关键领域的J9旗舰落地场景

为高端装备制造、车载电控及万物互联终端提供经受严苛环境检验的物理与电性屏障。

新能源汽车三电控制

主驱BMS电量计量芯片、车规MCU与OBC车载充电机功率管封测,满足零下40度至125度抗震与热疲劳标准。

标准:AEC-Q100 / Grade 1

工业伺服与自动化控制

高抗干扰RS485隔离收发器、DSP运动控制算力芯片的高速引线键合与电磁兼容辐射抑制封装。

指标:IEC 61000-4-2 严苛ESD

端侧 AI 与边缘计算芯片

NPU视觉加速芯片与多通道DDR内存的倒装焊堆叠SiP封装,保障海量运算吞吐下的极低寄生电感。

特性:FC-BGA 信号完整性优化

高频物联网通信射频

Sub-6GHz与毫米波天线一体化封装(AiP),结合特殊低损耗注塑填料,实现低插损与轻量化布局。

频段:覆盖 2.4G ~ 28GHz 频域
Engineering Workflow

严谨的J9旗舰工程实施流程

标准化四阶工程节点管控,确保客户设计方案平滑切入量产轨道。

1

设计协同与仿真评估

完成基板走线协同、热仿真与探针卡PinMap定义,制定覆盖全面的ATE测试用例。

2

晶圆前道减薄与划片

精密研磨至指定标称厚度,采用紫外划切或激光隐形切割,有效防止晶圆边缘崩缺。

3

微米级贴片与键合注塑

银胶固晶、高精度焊线或倒装回流焊,继而实施环氧塑封固化与激光打标刻印。

4

三温终测与量产放行

全温区电性能测试并轨运行,输出CPK数据与良率工程分析报告,完成载带封装入库。

99.85%+
量产封装综合良品率
120M+
年交付封装芯片颗粒数
< 72H
工程试样极限打样周期
0.05DPPM
车规产品出厂缺陷率控制
Industry Trust

来自芯片设计与半导体方案商的量产反馈

真实记录工程流片阶段的良率攻坚与批量交付中的稳定性表现。

“我们在开发面向乘用车底盘的高可靠MCU时,对高温150℃下的漏电与寄生电感要求极为苛刻。该团队在QFN封装设计阶段就通过热电协同仿真规避了引脚寄生应力,首批30万颗量产FT测试一次性良率达99.91%。”

李工 · 研发副总监

某头部车规半导体Fabless公司

“毫米波雷达前端芯片需要SiP封装将天线与收发单元结合。该产线的微间距倒装焊机台精度高,微凸点共面性控制在理想范围以内,极大地减少了高频信号的插入损耗,打样周期仅用了5天。”

陈博士 · 封装工程专家

智能驾驶传感系统集成商

“针对工业自动化DSP芯片的大批量ATE测试,他们自研的测试夹具支持32工位并行测试,单颗终测耗时缩减了35%,帮助我们在保证测试覆盖率的前提下有效降低了封测综合成本。”

张经理 · 运营供应链总监

工业控制微电子原厂
Technical Briefs

J9旗舰前沿技术动态与工艺解析

梳理先进封装(Chiplet)、异构集成与车规可靠性测试的最新工程实践进展。

核心工艺深研 发布批次:工模阶段

面向高算力处理器的 Chiplet 2.5D 中介层互连与电性能测试向量优化策略

随着摩尔定律演进放缓,通过硅中介层(Silicon Interposer)将不同工艺节点的芯粒进行二维半封装成为主流。本文针对异构集成中已失效芯粒(Known Good Die, KGD)的高概率筛查难题,剖析了在探针台高频测试中应用低寄生电容探针卡的测试方法。

技术类别:先进封装与探针测试 咨询该项测试方案
车规级验证规范

AEC-Q100 认证全温区三温终测测试覆盖率规划原则

针对极端高低温交变环境下的器件参数漂移,系统阐述了动态测试向量在判定阈值电压中的设置技巧。

物理结构防护

超薄晶圆减薄破损率控制与DBI混合键合应力控制指南

从砂轮粒度选型、化学机械抛光到贴膜张力平衡,全流程拆解减薄工艺中的翘曲消除工程方案。

射频测试

5G毫米波AiP封装天线在原位测试环境下的校准方案

论述微型屏蔽暗室与多端口矢量网络分析仪在量产编带测试中的协同自动化部署。

Technical Q&A

J9旗舰常见技术与工程规范解答

汇集芯片客户在试样打样与量产导入中最常关注的工程标准问答。

Engineering Inquiry

预约J9旗舰试样与工艺技术评估

提交您的晶圆几何规格、目标封装外形及测试指标要求,我们的资深微电子封测工程师将在2小时内对接,提供可行性DFC评估、基板排版及ATE测试方案。

工程热线:021-68993210
商务邮箱:[email protected]
工厂地址:上海市张江高科技园区半导体微电子产业港B4栋

产线严格签署保密协议(NDA),充分保障客户集成电路布图知识产权安全。